研究課題/領域番号 |
19K15432
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研究種目 |
若手研究
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配分区分 | 基金 |
審査区分 |
小区分29010:応用物性関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
松岡 悟志 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (60826535)
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研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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キーワード | 有機電界効果トランジスタ / キャリアイメージング / 絶縁膜界面 / 有機半導体 |
研究成果の概要 |
有機電界効果トランジスタは、次世代電子デバイスへの応用が期待され研究開発が進められており、その性能は有機半導体層と絶縁層の界面状態に依存して変化することが知られる。本研究では、有機半導体-絶縁体界面に蓄積した電荷キャリアを光学的に検出し可視化する、独自技術であるゲート変調イメージング法を用いて、界面状態の測定を行う。単結晶性有機半導体層と様々な誘電ポリマーによる絶縁層を用いて作製した有機トランジスタ素子を測定し、絶縁膜表面の化学官能基に影響された電荷キャリアの運動性に由来する光信号強度の異常な増幅を明らかにした。
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自由記述の分野 |
有機エレクトロニクス
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究で用いたゲート変調イメージング法では、有機電界効果トランジスタのスイッチング性能を決める要因の一つである絶縁膜表面に蓄積した電荷キャリアを、最先端のカメラを用いて光学的に測定する。従来の電気的評価に比べて、性能律速要因が素子内部でどのように分布するかを判別することが可能となる。今回、半導体層内のキャリア密度に比例しない異常な光学応答を初めて観測し、有機光物性分野における新しい電気光学現象を見出すとともに、絶縁層に用いた誘電ポリマー材料が半導体層内に蓄積したキャリアの運動性に大きく影響することを明らかにした。
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