研究課題
若手研究
チタン酸ストロンチウム(STO)表面を用いたスピントランジスタの実現について研究した。STO表面に強磁性電極を作成することで、STO表面の磁化方向を制御が可能とした。また、強い電界が印加可能であるイオンゲートを用いることで、超薄膜白金中のスピンホール効果のゲート電圧変調を示唆する結果が得られた。得られた結果は、STO表面を用いた無接合界面スピントランジスタ構造の実現につながる。
スピントロニクス
スピントロニクスでは、電子の電荷情報とスピン情報を共に制御することにより、論理演算素子の高機能化・省電力化を目指す。提案されるデバイスの一つであるスピントランジスタについて、チャネルの候補材料であるチタン酸ストロンチウムを研究した。その結果、チタン酸ストロンチウム表面の磁化方向の制御・ゲート電圧制御についての知見が得られた。本成果により、従来スピントランジスタにおけるデバイス性能向上のボトルネックとなっていた異種材料の接合界面の存在を回避した、新たなスピントランジスタ構造の実現が期待できる。