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本研究では，遷移金属元素によるB-B結合活性化の機構を実験的に明らかにするために，配位子として含窒素三員環azadiboriridine(BNB)を用いて，B-B結合活性 化の遷移状態モデルとみなせるTM-ジボロン錯体を合成した。未解明であった触媒的ホウ素化プロセスの最初の，そして触媒サイクルで重要なステップである金属により促進されるB-B結合活性化のメカニズムに関しての知見を得ることができた。さらに，遷移金属に電気陽性な2つのホウ素原子が直接結合したことで発現すると 期待される反応性についても，さらなる調査を継続している。BNB配位子のホウ素上の置換基を変化させ，11族 金(I)錯体形成における置換基の立体的および電子的効果を調査したところ，置換基を変化させた関連化合物の合成に成功した。特に芳香族置換基を導入した金錯体については、電子的および立体的効果による構造の変化やホウ素間結合の伸長が確認された。アミノ置換BNBの系では、予想外の結果としてホウ素間の結合が完全に開裂した構造が得られた。さらに，金ジボロン錯体から含ホウ素N-ヘテロ環状カルベン(BNC)錯体を合成し，構造決定および物理的，化学的特性に及ぼすホウ素置換基による電子的効果を調べた。またBNB配位子とイリジウムおよび白金との錯体形成によ り，第10族および第11族金属錯体によるB-B結合活性化に対する金属共配位子効果について検討の必要性が認められたことから，新規Ir-BNB、Pt-BNB錯体の合成も行った。構造解析の結果から、 これら2種類の金属とホウ素間の結合は，酸化的付加というよりもむしろホウ素-ホウ素σ結合の配位による3中心2電子結合であることが判明した。
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