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現在の高度情報化社会をハードウェア面から支える半導体集積回路は主にトランジスタによって構成されており、トランジスタの微細化により高性能化を達成している。さらに近年は、ひずみシリコン技術などの併用により高性能化を達成している。しかしながら、導入可能なひずみ量は飽和しつつあり、新たなひずみ導入技術が求められている。
本研究では負の熱膨張係数を有する材料を用いた全く新しいひずみ導入技術を創成する。
負の熱膨張係数を有する材料として、マンガン窒化物に注目し、マンガン窒化物を有するトランジスタの作製技術を確立した。そして、試作したトランジスタにおいて、移動度の向上を確認した。
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