| 研究課題/領域番号 |
19K21954
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
末益 崇 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40282339)
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| 研究分担者 |
磯上 慎二 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (10586853)
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| 研究期間 (年度) |
2019-06-28 – 2022-03-31
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| キーワード | スピントロ二クス / フェリ磁性体 / 磁化補償 / 角運動量補償 / 磁壁移動 / スピン移行トルク |
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| 研究成果の概要 |
スピントロニクスにおいては、磁性膜の磁化ベクトルの向きを情報の0と1に対応させ、それらを電流で制御することが重要である。これまで、希少元素を含まないフェリ磁性体Mn4Nにおいては、研究代表者等が、外部磁場のサポートが無い状態で、スピン移行トルクのみにより室温で900m/sの超高速で磁化が反転することを実証してきた。本研究では、Mn4NにわずかにNiをドープすることで磁化補償が生じること、そのようなNi組成では、室温で3000m/sの超高速の磁化反転を実証した。同様な磁化補償は、Coをドープした場合や、非磁性不純物であるSnやAuをドーピングしても、室温で生じることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
電子工学、結晶成長工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
これまで、フェリ磁性体を用いて補償組成付近で超高速の磁壁移動を達成報告した例はあるが、Tb等の希少元素を含む材料であり、また、磁壁移動に外部磁場のアシストが必要であった。本研究で室温で超高速の磁壁移動を達成した材料は、希少元素を含まず、また、室温で外部磁場のアシストが不要な点に学術的な意義がある。
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