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情報通信技術の発展には、集積回路の高性能化が必須である。従来、集積回路の高性能化は、集積回路を構成するシリコン・トランジスタの微細化により実現されてきた。しかし、微細化が進んだ結果、トランジスタのリーク電流が増加し、消費電力の増大、動作特性の劣化などの課題が健在化している。本研究では、微細化ではなく、シリコンよりも特性が優れる新しい材料（ゲルマニウム・スズ）を用いて集積回路を高性能化する研究を行った。その結果、絶縁膜上に高品質なゲルマニウム・スズ薄膜を形成する技術、寄生抵抗の低い良好な電極を形成する技術を創出した。これらの成果により、集積回路のさらなる高性能化が実現する。
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