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本研究では，エキシトンを情報担体とした革新デバイスを創製することを目的とした．オリジナル材料ZIONが有する高いエキシトン束縛エネルギーとピエゾ効果を，代表者が考案した逆Stranski-Krastanov モードを用いた高品質結晶成長技術により発現させ，デバイスの室温動作に欠かせない，高温・長寿命エキシトンの実現を試みた．その結果，ZIONエキシトントランジスタにおいてゲートへの光照射によるスイッチング＠室温に成功した．現在，電圧印加によるスイッチングの実現を目指すとともに，エキシトン発光におけるRabi振動の観測を通して，量子状態の保存と破壊の機構の詳細を解明中である．
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