| 研究課題/領域番号 |
19K22136
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
山本 和生 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主席研究員 (80466292)
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| 研究分担者 |
穴田 智史 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (40772380)
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| 研究期間 (年度) |
2019-06-28 – 2023-03-31
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| キーワード | 電子線ホログラフィー / レーザー / 光干渉 / 電場 / 半導体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は，位相シフト電子線ホログラフィーを用いて，光の電場や，光と物質の相互作用を観察できる基本技術を開発することである．300 kV透過型電子顕微鏡に光を導入するための技術開発を行った．既有の特殊光導入試料ホルダーにキセノンランプを導入し，ZnOナノワイヤーやGaAs p-n接合の試料に光を照射しながら，ホログラフィー計測を行い，電位分布の変化を観察することに成功した．また，光の電場を観察するために，観察領域に光干渉をさせるための特殊光干渉試料ホルダーを設計・製作した．レーザーの出力が弱いため，光干渉を確認することは困難であったが，今後に必要な課題を抽出することはできた．
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| 自由記述の分野 |
電子顕微鏡計測
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
光は電場と磁場が直交する電磁波である．光の電場や磁場が，物質とどのように相互作用するかは不明な点が多く，その様子を直接的に実験で観察できる手法が確立すれば，光による反応現象を明らかにできる．本研究では，光照射電子線ホログラフィー技術を確立することによって，半導体による光起電力効果を可視化することに成功した．カーボンニュートラルの実現に必要な太陽電池などの高性能化に，この技術が寄与できると考えられる．また，光干渉現象の可視化を行うための技術開発も行った．多くの課題はあるものの今後の光を用いた物理の解明にも繋がると考えられる．
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