| 研究課題/領域番号 |
19K23583
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
0402:ナノマイクロ科学、応用物理物性、応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
NGUYEN THIVANANH 東北大学, 先端スピントロニクス研究開発センター, 助教 (20840101)
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| 研究期間 (年度) |
2019-08-30 – 2022-03-31
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| キーワード | antiferromagnetic / magnetization dynamics / damping constant / exchange bias system / ferromagnetic resonance / PMA |
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| 研究成果の概要 |
電圧による磁化制御は、超低電力スピントロニックデバイスの実現への道を開いたため、様々な研究が進められている。 Cr2O3薄膜を使用することにより、Cr2O3と強磁性（FM）の交換結合のおかげで、FM層で電圧誘起磁化反転を実現することもできた。 動的磁気特性は磁化反転と密接に関連しているため、これらの特性を深く理解する必要がある。
強磁性共鳴技術を使用したPt/FM/Cr2O3積層膜の動的磁気特性を検討した。 結果は、動的磁気特性がFM層とPt層の厚さの両方に依存することを示した。 これは、動的磁気特性がFM層によって決定され、FM/Cr2O3の界面磁化と交換結合によって制御できることを意味する。
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| 自由記述の分野 |
応用物理工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
So far the investigation of dynamic magnetic properties in exchange-coupled Cr2O3/FM/NM systems was lack. The investigation here would set more light in the origin of the voltage-induced magnetization switching, and contribute to the realization of ultra-low power spintronic devices using Cr2O3.
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