研究課題/領域番号 |
19K23593
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研究種目 |
研究活動スタート支援
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配分区分 | 基金 |
審査区分 |
0402:ナノマイクロ科学、応用物理物性、応用物理工学およびその関連分野
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研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
研究代表者 |
Fang Nan 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 基礎科学特別研究員 (50850509)
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研究期間 (年度) |
2019-08-30 – 2022-03-31
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キーワード | carbon nanotube / hexagonal boron nitride / exciton / screening effect |
研究成果の概要 |
二次元材料はユニークな電子・光物性を持ち、次世代デバイスの材料として注目を集めています。六方晶窒化ホウ素(h-BN)は絶縁性の二次元材料で、不純物および欠陥が少なく、他の二次元材料の性能を引き出せることが分かっています。カーボンナノチューブは一次元材料であり、二次元材料同様に基板や表面の状態に敏感です。合成直後の架橋カーボンナノチューブは清浄な状態であり、光学特性は優れているのですが、シリコンなどの基板と接触すると消光効果が起き、 フォトルミネッセンスの強度は激減します。本研究では、h-BNとカーボンナノチューブのヘテロ構造を作り、h-BNとカーボンナノチューブの相互作用を調べました。
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自由記述の分野 |
工学
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
These findings indicate that h-BN is an ideal solid-state subsatrate for the CNTs photonic devices and open a new path-way for manipulating excitons in CNTs.Moreover, we also observe that intimate contact with the h-BN substrate could result in large modifications in excitonic energies.
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