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ZnO単結晶基板のA面、M面、C面基板に対して異なる線量のγ線を照射し、γ線照射前後のESR測定をしたところ、M面が高線量に対して耐性があることが確認された。UVセンサにおける300nm付近の光電流の増加は、基板表面のOHが原因であることがXPS測定より示唆された。
溶融塩法により合成したYAP:Ce粉末を紫外線透過樹脂と混合し、スピンコーターを用いてUVセンサ上にYAP:Ce膜を堆積して放射線検出器を作製し、X線によりその特性を評価した。その結果、X線管電流に対して光電流がおおよそ比例関係にあり、ZnO光導電型紫外線センサとYAP:Ce膜によってX線検出が可能であることを明らかとした。
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