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「国際的研究開発プログラム」
6月の CERN でのモジュールイシテグレーショシレビューに4名を派遣、発表を行なう。レビューの勧告は他の案をベースラインとするものとなり、非常に残念な結果となった。独立モジュールをベースとする R&D は ATLAS R&D として認められたものであり、次年度を含めて R&D を完成・完了させ責任を果たす。 11月の NIKHEF でのアップグレード共同作業会に3名を派遣、センサーの放射線損傷と耐放射線性の高度化等の結果を報告。
「p型シリコンマイクロストリップセンサーの放射線損傷と耐放射線性の高度化」
新規製作のp型シリコンマイクロストリップセンサーにてホットエレクトロン赤外線カメラによりマイクロディスチャージ発生点を同定。半導体シミュレーションプログラム(TCAD)より発生要因を解析し、ストリップ分離構造の最適化を提案した。結果、マイクロディスチャージ発生電圧はlkV以上となる。東北大 CYRIC 施設にて4月及び11月に陽子線照射、日本原子力研究開発機構高崎ガンマ線照射施設にて8月にガンマ線照射試験を実施。照射後のマイクロディスチャージ発生電圧やnストリップ分離特性等を測定、TCAD シミュレーションと比較中。
「シリコン半導体飛跡測定器の構造及び熱設計の手法の確立」
センサーとハイブリッドを組合せたモジュールの熱的特性を、ダミーの発熱体よりモジュールを製作し測定。ダミーモジュールの特性を入れた有限要素法(ANSYS プログラム)2次元モデル及び3次元モデルを構成、熱的安定性をシミュレートし、測定結果と比較。結果を学会にて報告。高抵抗シリコン材内部の発熱にてセンサー部の発熱をシミュレートしようとしたが不十分、ヒータを貼付けたシリコン材で再制作し、再測定・再比較を行なう。
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