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2008 年度 実績報告書

LSIプロセスによりシリコン結晶に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 20035012
研究機関明治大学

研究代表者

小椋 厚志  明治大学, 理工学部, 准教授 (00386418)

キーワード半導体物性 / マイコロナノデバイス / 物性実験
研究概要

近年の最先端半導体集積回路(LSI)では、個々の素子サイズが極限まで減少したことにより、従来までは問題とならなかったことがデバイスに影響を与えるようになった。例えば、素子分離として現在用いられているshallow trench isolation(STI)において、顕著なリーク電流が生じる場合があり、しSIの信頼性、生産性ともに減少させている。STIは種々のプロセスの組み合わせで形成されるもので、リーク電流の原因を調べるためには、プロセスごとにモニタリングを行う必要がある。一般的に、リーク電流の原因となるものが、プロセスごとに段々と蓄積され、最終的に顕著な結晶欠陥を誘発されると考えられている。しかしながら、結晶欠陥のいわゆるタネのような状態は、結晶欠陥評価として有力とされる、transmission electron microscopy(TEM)でも、検出することは困難となる。
本課題では、STIプロセス、具体的には、エッチング処理、酸化処理、熱処理、の基礎的なプロセス条件を種々用意し、UVラマン分光法で評価を行った。ラマン分光法は、非破壊非接触、室温、常圧の下評価を行える光学的評価手法である。さらに、UV光を励起光として用いることにより、Siに対する侵入長が約5nmとなる。これにより、もともと結晶欠陥に敏感なラマン分光法に加え、極めて表面敏感な評価法となり、もっともダメージを蓄積し易いSTI構造表面の評価が可能となった。結果的に、エッチング条件、酸化条件、熱処理条件の最適化に重要な知見を得ることができた。酸化条件は、実際想定していた酸化時間より、結晶性を回復させるためには多くの時間を要することや、素子間(ウエハの真ん中あるいは端)で、大きくばらつくことが新たに明らかになった。

  • 研究成果

    (28件)

すべて 2008

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (22件)

  • [雑誌論文] Characterization of Strain for High Performance Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor2008

    • 著者名/発表者名
      Disuke Kosemura, Atsushi Ogurat
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2538-2543

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nitrogen Gas Flow Ratio and Rapid Thermal Annealing Tempera ture Dependences of Sputtered Titanium Nitride Gate Work Func tion and Their Effect on Device Characteristics2008

    • 著者名/発表者名
      Yongxun Liu, Atsushi Ogura, 他
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2433-2437

    • 査読あり
  • [雑誌論文] W-CVD using(i-C3H7C5H4)2WH22008

    • 著者名/発表者名
      A. Ogura, 他
    • 雑誌名

      J. Vacume Science & Tech. 26

      ページ: 561-564

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Evaluation of Si_3N_4/Si interface by UV Raman spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Ogura, 他
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 254

      ページ: 6229-6231

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Evaluation of super-critical thickness strained-Si on insulator (sc-SSOI) substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Ogura, 他
    • 雑誌名

      Solid State Electronics. 52

      ページ: 1845-1848

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Evaluation and Control of Strain in Si Induced by Patterned Si N Stressor2008

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Ogura, 他
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters 12

      ページ: H117-H119

    • 査読あり
  • [学会発表] Study of Strain Introduction in the Channel of MOSFET with T ransparent Dummy Gate and Si_3N_4 Stressor2008

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-13
  • [学会発表] Micro-Raman study of channel strain in high performance pFE Ts with compressive stress liner and eSiGe using damascene gate technolog2008

    • 著者名/発表者名
      M. Takei, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-13
  • [学会発表] Behaviors of ultra thin SiGe layer by annealing2008

    • 著者名/発表者名
      Yu Yamamoto, Atsushi Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-13
  • [学会発表] Suppression of SiC Surface Roughening during High Temperatur e Annealing by Atmospheric Control2008

    • 著者名/発表者名
      S. Kinoshita, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-13
  • [学会発表] The in-situ measurement of thermal expansion coefficient of thin SiGe layer on Si (001) by XRD2008

    • 著者名/発表者名
      Hirotaka Kurozaki, Atsushi Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-11
  • [学会発表] A Comparative Study of the Electrical Characteristics of Sputter ed TiN. Gate Planar MOSFETs and FinFETs2008

    • 著者名/発表者名
      T. Hayashida, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Scieince and Technology
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2008-11-10
  • [学会発表] Evaluation of Transconductance Enhancement of <110> and <100> -Channel Strained Si Nanowire Field-Effect Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      A. Seike, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      2008 International Workshop on Dielectric T hin Films for Future ULSI Devices : Scieince and Technology
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-10
  • [学会発表] Investigation of Structural Defects in Strained Si Wafers by Syn chrotron X-rav Tonoeranhv2008

    • 著者名/発表者名
      Takayoshi Shimura, Atsushi Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-10
  • [学会発表] Ion Beam Irradiation to Type IV Collagen for Biologic Reactivity2008

    • 著者名/発表者名
      Yuichiro Shiga, Atsushi Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-11-10
  • [学会発表] New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-ray Photoelectron Spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      ESSDERC2008
    • 発表場所
      Edinburgh, Great Britein
    • 年月日
      2008-10-16
  • [学会発表] Transconductance Enhancement of Strained <110> and <100> S Nanowire Channel Field-Effect Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      I. Tsuchida, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      214th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-10-14
  • [学会発表] Study on Stress Memorization by Argon Implantation and Annea ling2008

    • 著者名/発表者名
      M. Hino, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      214th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-10-13
  • [学会発表] Study of Stress Effect on Replacement Gate Technology with C ompressive Stress Liner and eSiGe for pFETs2008

    • 著者名/発表者名
      S. Yamakawa, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
    • 発表場所
      Hakone, Japan
    • 年月日
      2008-09-10
  • [学会発表] High Spatial Resolution Evaluation of Strain in High-Performance Si MOSFET by UV-Raman Spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      D. Kosemura, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      21th International Conference on Raman Spe ctroscopy
    • 発表場所
      Uxbridge, Great Britein
    • 年月日
      2008-08-20
  • [学会発表] Evaluation of multi-crystalline silicon substrates with p-n diode array2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tachibana, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Sc ience and Technology of Silicon Materials,
    • 発表場所
      Denver, USA
    • 年月日
      2008-08-05
  • [学会発表] Channel-Stress Study on Gate-Size Effects for Damascene-Gate p MOSFETs with Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe2008

    • 著者名/発表者名
      S. Mayuzumi, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      2008 Symposium on VLSI Technology and c ircuit.
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2008-06-18
  • [学会発表] Evaluation of local strain in Si using UV-Raman spectro scopy2008

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Ogura
    • 学会等名
      Euro-MRS 2008, Symposium on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications,
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2008-05-27
  • [学会発表] S Evaluation and control of strain in Si induced by patterned Si N stressor2008

    • 著者名/発表者名
      H. Saito, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      213th Electrochemical Society Meeting I
    • 発表場所
      Phonix, USA
    • 年月日
      2008-05-21
  • [学会発表] Chemical Vapor deposition using Pt (PF3) 4 and Ni (PF3) 42008

    • 著者名/発表者名
      M. Ishikawa, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      213th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Phonix, USA
    • 年月日
      2008-05-20
  • [学会発表] Transconductance Enhancement by Utilizing Pattern Depe ndent Oxidation in Silicon Nanowire Field-Effect Transis tors.2008

    • 著者名/発表者名
      A. Seike, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      213th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Phonix, USA
    • 年月日
      2008-05-20
  • [学会発表] Application of Synchrotron X-ray Diffraction2008

    • 著者名/発表者名
      T. Shimura, A. Ogura, 他
    • 学会等名
      213th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Phonix, USA
    • 年月日
      2008-05-19
  • [学会発表] Application of Synchrotron X-ray Diffraction Methods to Gate S tacks of Advanced MOS devices2008

    • 著者名/発表者名
      T. Shimura, Atsushi Ogura, 他
    • 学会等名
      213th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Arizona, USA
    • 年月日
      2008-05-19

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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