| 研究概要 |
1. Cイオン注入及びレーザーアニール装置によるSi_<1-x>C_x層の形成実験, 及びその物性評価
Si_<1-x>C_x層の形成は, Cイオン注入を薄膜SOI基板に行い,レーザ加熱又は電気炉加熱によって行い, アニール法の違いによるSi_<1-x>C_x層の評価を行った. ラマン分光解析により, Si-c結合を実証できた. さらに, 紫外分光測定から, Si_<1-x>C_x層の結晶化率を96%以上が達成できるアニールプロセス条件を発見した. 今後は,Si_<1-x>C_x層のバンド変調の実証をする予定である.
2. デバイスシミュレータを用いた素子構造設計その1
ソースヘテロ端での電子のトンネル効果を考慮したシミュレータを始めて用い, サブ10nm-nチャネルSHOT素子における駆動能力のヘテロバンドオフセット量依存性の詳細を明確にした.旧来の量子効果を考慮しないシミュレーションと違い, ソースヘテロ構造の最適化が実現できた.今後は, pチャネルSHOTの計算も行う予定である.
3. 新構造ヘテロの検討
歪SOI基板を用いたnチャネルSHOT用の新たなソースヘテロ構造を, イオン注入法を用いて実現できた.今後は. pチャネル用の新構造ソースヘテロの研究も行う予定である.
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