| 研究概要 |
シリカ表面担持ホスフィン配位子Silica-SMAPと[Ir(OMe) (cod)]_2から調製される固定化Ir触媒がジボロン化合物による芳香族C-Hホウ素化反応に活性を示した。ベンゼンなどのように官能基を持たない芳香環も反応するが、配位性官能基(配向基) を持つアレーンは特に高い反応性を示し、オルト位が選択的にホウ素化される。エステル、アミド、アセタール、MOMエーテル、スルホン酸エステル、塩素原子など様々な官能基が配向基として働き、中でもエステルの配向(活性化) 効果が最も大きい。またSilica-SMAP-Ir触媒は反応位置が立体的に混み合った多置換基質に対しても優れた適用性を示した。
また,ガラス基盤上に真空蒸着させて得た金表面をチオール化SMAPのエタノール溶液に浸漬することでSMAP単分子層を作製し、これを[RhCl(C_2H_4)_2]_2のベンゼン溶液に浸漬してRh錯体化表面を得た。表面解析はXPS, IRRAS, ICP-MS, AFM等により行った。この値からSMAP骨格が最密充填された単分子層の形成が示唆される。Rh-SMAP単分子層触媒は、ヒドロシランによるアルコールの脱水素シリル化に対して、高い触媒活性を示した。触媒寿命/再利用性の点でも、単分子層触媒は均一系触媒より優れている。均一系触媒は一回目の使用途中で失活したのに対し、SMAP単分子層触媒は触媒活性を保ったまま繰り返し利用でき、4回利用後の総触媒回転数は235000に達した。
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