2008 年度研究成果報告書

MgO-強磁性トンネルトランジスタの開発

研究課題

研究課題/領域番号	20042012
研究種目	特定領域研究
配分区分	補助金
審査区分	理工系
研究機関	独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者	長浜太郎独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (20357651)
研究期間 (年度)	2008
キーワード	スピントロニクス / TMR / MgO / ホットエレクトロン
研究概要	優れたコヒーレントトンネリング特性と示すMgO バリアをエミッタに用いたMgO-強磁性トンネルトランジスタ(MgO-MTT)を作製し、その伝導特性を調べた。ベース層の薄膜化、コレクタ材料の最適化により伝導特性は大きく向上することが分かった。また、その特性は界面共鳴状態の影響を受けており、界面の電子状態を調べる新しいツールとしても活用可能であることが分かった。