2008 年度研究成果報告書

ナノ金属‐半導体界面におけるプラズモン誘起電子移動ダイナミクスの研究

研究課題

研究課題/領域番号	20043039
研究種目	特定領域研究
配分区分	補助金
審査区分	理工系
研究機関	独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者	古部昭広独立行政法人産業技術総合研究所, 計測フロンティア研究部門, 主任研究員 (30357933)
研究期間 (年度)	2008
キーワード	超高速分光 / 界面 / プラズモン / 過渡吸収 / フェムト秒レーザー / 電子移動 / 光電変換 / ダイナミクス
研究概要	金属ナノ構造に生成する局在プラズモンは、金属の近接場に大きな電場を作り出し、効率的な反応、新たな反応を引き起こすことが期待されている。これまでの研究で、酸化チタンナノ粒子に吸着した金ナノ粒子をフェムト秒レーザーで励起した際に、250 fs 以内に約40%の収率で、酸化チタンの伝導帯に電子が移動するという知見を、赤外波長領域の過渡吸収測定から得た。本年度、特に金ナノ粒子間付近に生じる増強電場が電子移動反応に与える効果を、フェムト秒の過渡吸収分光により明らかにした。