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2008 年度 実績報告書

融液中に浮遊させたSi結晶の成長メカニズムの研究と高品質Si多結晶の成長技術開発

研究課題

研究課題/領域番号 20226001
研究機関東北大学

研究代表者

中嶋 一雄  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (80311554)

研究分担者 宇佐美 徳隆  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (20262107)
藤原 航三  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70332517)
沓掛 健太朗  東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00463795)
森下 浩平  東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00511875)
キーワード浮遊キャスト法 / Siバルク多結晶 / 亜粒界 / ランダム粒界 / せん断応力 / デンドライト結晶 / ファセット成長 / 太陽電池
研究概要

残留歪みを低減できるなどの効果により、単結晶に匹敵する高品質なSiバルク多結晶を実現することにより、太陽電池のエネルギー価格を低減できる画期的な成長技術である「浮遊キャスト法」の開発を目指し、その技術開発の指針を構築するために、結晶成長過程の動的条件下で結晶組織や欠陥が形成されていくメカニズムの解明を試みた。
ファセットデンドライト結晶の成長を、デンドライトの主鎖中央部に存在する{111}双晶面に平行および垂直な方向から「その場」観察を行ったところ、双晶面に平行な{111}面も成長し、デンドライト先端には三角形の角が形成されるという従来のモデルでは説明できない現象が観察された。この観察結果に基づき、ファセットデンドライトは、主鎖中央部の二本の双晶部に形成される溝において交互に優先成長を繰り返すことにより成長するという新たな成長メカニズムを考案した。また、デンドライト結晶が他の結晶粒と衝突する場合、潜熱の拡散場が重なることにより過冷却度が低下し、成長様式が通常のファセット成長に遷移する場合があることを見出した。
また、多結晶の欠陥密度と粒界構造との関係を詳細に検討し、太陽電池の特性を低下させる主要な結晶欠陥である亜粒界がランダム粒界から発生することを見出した。更に、亜粒界発生と、粒界を挟んで対向する結晶粒の相対方位との相関の解析から、粒界近傍のすべり面せん断応力が亜粒界発生に大きく関与していることを示した。
これらの成長メカニズムに関する知見と、現有の小型キャスト炉を用いたインゴットの成長実験の結果から、浮遊キャスト成長法の技術課題を抽出し、平成21年度に導入予定の結晶成長装置の設計を行った。

  • 研究成果

    (26件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (17件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nose, I. Takahashi, W. Pan, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakaiima
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 311

      ページ: 228-231

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kutsukake, N. Usami, T. Ohtaniuchi, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys 105

      ページ: 044909

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 太陽電池用高品質シリコンバルク多結晶の製造技術2009

    • 著者名/発表者名
      宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
    • 雑誌名

      電子材料 48

      ページ: 10-16

  • [雑誌論文] In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, G. Sazaki, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido and K. Nakaiima
    • 雑誌名

      Acta Materialia 56

      ページ: 2663-2668

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth mechanism of Si-faceted dendrites2008

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, K. Maeda, N. Usami, K. Nakajima
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Lett 101

      ページ: 055503

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural origin of a cluster of bright spots in reverse bias electroluminescence image of solar cells based on Si multicrystals2008

    • 著者名/発表者名
      N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, I. Yonenaga, and K. Nakajima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 1

      ページ: 075001

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of detect density in Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities2008

    • 著者名/発表者名
      I. Takahashi, N. Usami, R. Yokoyama, Y. Nose, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 8790-8792

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008

    • 著者名/発表者名
      宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告 108

      ページ: 73-76

  • [学会発表] 結晶成長過程における多結晶組織形成メカニズムとその制御2009

    • 著者名/発表者名
      宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
  • [学会発表] Siの結晶成長メカニズムと太陽電池用高品質Siバルク多結晶インゴットの成長技術2009

    • 著者名/発表者名
      藤原航三
    • 学会等名
      第44回応用物理学会スクール
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] 結晶シリコン太陽電池の現状と課題 : 結晶成長技術開発の重要性2009

    • 著者名/発表者名
      宇佐美徳隆
    • 学会等名
      電気学会
    • 発表場所
      北海道札幌市
    • 年月日
      2009-03-19
  • [学会発表] Comprehensive study of defects in Si Multicrystals Toward High-Efficiency Solar Cells2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kutsukake, N, Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 学会等名
      18^<th> International photovoltaic science and engineering conference and exhibition
    • 発表場所
      Kolkota(India)
    • 年月日
      2009-01-21
  • [学会発表] Siのファセットデンドライトの成長メカニズム2008

    • 著者名/発表者名
      藤原航三
    • 学会等名
      日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第59回研究会
    • 発表場所
      東京都目黒区
    • 年月日
      2008-12-19
  • [学会発表] Comprehensive study of sub-grain boundaries in Si multicrystals toward defect engineering for high-efficiency solar cell2008

    • 著者名/発表者名
      N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona(USA)
    • 年月日
      2008-11-12
  • [学会発表] Toward defect engineering in Si multicrystal for high-efficiency solar cells : Fundamental mechanisms of generation of sub-grain boundaries, spatial distribution, electrical properties, and impact on solar cell nerformance2008

    • 著者名/発表者名
      N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, T. Ohtaniuchi, and K. Nakaiima
    • 学会等名
      23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    • 発表場所
      Velencia(Spain)
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] On the generation mechanism of sub-grain boundaries during directional growth of Si bulk multicrystal2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 学会等名
      23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    • 発表場所
      Velencia(Spain)
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals using dendritic casting method and mechanism to obtain high-quality crystals with low defects2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nakajima, K. Fujiwara, K. Kutsukake, N. Usami, and S. Okamoto
    • 学会等名
      23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    • 発表場所
      Valencia(Spain)
    • 年月日
      2008-09-02
  • [学会発表] 結晶Si太陽電池の高効率化へ向けたSiバルク多結晶中亜粒界の総合研究2008

    • 著者名/発表者名
      沓掛健太朗, 大谷内毅, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 中嶋一雄
    • 学会等名
      第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
    • 発表場所
      宮崎県宮崎市
    • 年月日
      2008-06-26
  • [学会発表] シリコンバルク多結晶におけるせん断応力と多結晶組織との関係2008

    • 著者名/発表者名
      高橋勲, 宇佐美徳隆, 横山竜介, 沓掛健太朗, 森下浩平, 藤原航三, 中嶋一雄
    • 学会等名
      第5回次世代の太陽光発電シンポジウム
    • 発表場所
      宮崎県宮崎市
    • 年月日
      2008-06-26
  • [学会発表] Reduction of shunt resistance in solar cells based on Si multicrystals by accumulated imuurities at suberain boundaries2008

    • 著者名/発表者名
      N. Usami, K.Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 学会等名
      The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technoloev(CGCT-4)
    • 発表場所
      宮城県仙台市
    • 年月日
      2008-05-23
  • [学会発表] The effect of Ge addition on growth of Si faceted dendrite2008

    • 著者名/発表者名
      M. Tokairin, K. Fujiwara, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita and K. Nakaiima
    • 学会等名
      The Fourth Asian Conference on Crystal Growili and Crystal Technology(CGCT-4)
    • 発表場所
      宮城県仙台市
    • 年月日
      2008-05-23
  • [学会発表] Growth of high-quality Si multicrystals with same grain orientation and large grains using dendritic casting method and formation mechanism of dendrite crystals with parallel twins2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nakajima, K. Fujiwara, N. Usami, and S. Okamoto
    • 学会等名
      The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)
    • 発表場所
      宮城県仙台市
    • 年月日
      2008-05-22
  • [学会発表] Comprehensive research of sub-grain boundaries in Si bulk multicrystal for solar cells2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kutsukake, T. Ohtaniuchi, N. Usami, K. Fujiwara, and K. Nakajima
    • 学会等名
      The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)
    • 発表場所
      宮城県仙台市
    • 年月日
      2008-05-22
  • [学会発表] Challenges toward high-efficiency solar cells2008

    • 著者名/発表者名
      N. Usami, K. Fujiwara, K. Kutsukake, and K. Nakajima
    • 学会等名
      Tech Horizon 2008
    • 発表場所
      Riverside(USA)
    • 年月日
      2008-05-06
  • [学会発表] Siバルク多結晶の組織制御による太陽電池の高効率化2008

    • 著者名/発表者名
      宇佐美徳隆、藤原航三、沓掛健太朗、中嶋一雄
    • 学会等名
      電子情報通信学会・シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      沖縄県那覇市
    • 年月日
      2008-04-12
  • [産業財産権] Siバルク多結晶インゴットの製造方法2008

    • 発明者名
      宇佐美徳隆、中嶋一雄、高橋勲
    • 権利者名
      東北大学
    • 産業財産権番号
      特願2008-108887
    • 出願年月日
      2008-04-18

URL: 

公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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