| 研究概要 |
コロイド結晶を出発マスクとしたパターニングプロセスに基づきSiウエハの限定された位置に,Ag,Au,Ptなどの貴金属を微粒子状あるいは薄膜状に付与する手法を確立した。また,位置選択的に付与した貴金属の触媒作用を利用した化学エッチングによってSi凸型構造とSiホールアレイ構造の二種類のSi微細構造を作製した。ポリスチレン製のハニカムマスクを用いてスパッタリングによりPt-PdまたはAu薄膜を付与しエッチングを行った結果,両金属共にホールアレイを作製できた。Auを触媒として用いることでサイドエッチングの影響を低減できることが分かり,高アスペクト比を持つホールアレイの作製が実現した。本手法は,コロイド結晶テンプレート法と金属触媒エッチングを融合した新規のリソグラフィー技術であり,Si基板以外にもGaAsやInPなどの化合物半導体において,同プロセスが適用できることを確認した。
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