| 研究概要 |
平成21年度は汎用性のある材料創製技術の確立を目的に,前年度実施したシリコン以外に他の化合物半導体としてInPあるいはGaAs上への規則構造の作製を検討した。コロイド結晶を出発マスクとしたパターニングプロセスに基づき各種半導体基板の限定された位置に,Ptなどの貴金属を薄膜状に付与した。位置選択的に付与した貴金属の触媒作用を利用した化学エッチングにより,基板上にマイクロメートルオーダーの周期性を持つドット構造あるいはホール構造を形成した。また,コロイド結晶を直接マスクとした触媒形成以外にも既存のフォトレジストを用いたパターン形成法にも着手し,ライン/スペースの周期構造を貴金属の触媒作用を利用したウエットエッチングにより実現した。その際のエッチング速度は,エッチャント組成,エッチング時の光照射強度にも影響を受けることを見出し,研究成果は論文として公開した。
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