自発的秩序構造を利用した半導体ナノ・マイクロ規則構造の作製とその応用

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20241026
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ材料・ナノバイオサイエンス
• 研究機関: 工学院大学
• 研究代表者: 小野 幸子 工学院大学, 工学部, 教授 (90052886)
• 研究分担者: 阿相 英孝 工学院大学, 工学部, 准教授 (80338277)
• 連携研究者: 杉井 康彦 工学院大学, 付置研究所, 准教授 (90345108) ; 安川 雪子 工学院大学, 付置研究所, ポストドクター (10458995)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2011
• キーワード: ナノ材料 / ナノバイオ / 先端機能デバイス / 半導体超微細加工 / 材料加工・処理

研究概要

シリコンを始めとする半導体基板, GaAsに代表される化合物半導体基板,さらにアルミニウム,チタンなどの軽金属基板上に,既存のフォトリソグラフィー技術を用いずに,物質固有の自己組織化能を最大限に活かした湿式プロセスで,規則性を持つナノ・マイクロ構造体を容易かつ高精度に作製するプロセスを開発した。

研究成果

• [雑誌論文] Hexagonal geometric patterns formed by radial pore growth of InP based on Voronoi tessellation (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Asoh, J. Iwata, S. Ono
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 23(21) ページ: 215304/1-215304/8
  • DOI: DOI:10.1088/0957-4484/23/21/215304
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-aspect-ratio GaAs pores and pillars with triangular cross section (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Asoh, S. Kotaka and S. Ono
  • 雑誌名: Electrochemistry Communications 巻: 13(5) ページ: 458-461
  • DOI: DOI:10.1016/j.elecom.2011.02.020
  • 査読あり
• [雑誌論文] Site-Selective Anodic Etching of InP Substrate Using Self-Organized Spheres as Mask (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Yokoyama, H. Asoh and S. Ono
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi A 巻: 207(4) ページ: 943-946
  • DOI: DOI:10.1002/pssa.200925595
  • 査読あり
• [雑誌論文] Site-Selective Metal Patterning/Metal-Assisted Chemical Etching on GaAs Substrate through Colloidal Crystal Templating (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Yasukawa, H. Asoh and S. Ono
  • 雑誌名: J. Electrochemical Society 巻: 156(10) ページ: H777-H781
  • DOI: DOI:10.1149/1.3187239
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ordered Hexagonal Array of Au Nanodots on Si Substrate Based on Colloidal Crystal Templating (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Sakamoto, L. Philippe, M. Bechelany, J. Michler, H. Asoh and S. Ono
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 19 ページ: 405304/1-405304/6
  • DOI: DOI:10.1088/0957-4484/19/40/405304
  • 査読あり
• [学会発表] High-aspect-ratio atructures of pore and pillar arrays of semiconductors fabricated by wet etching using sphere photolithography (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Ono, S. Kotaka, J. Iwata, K. Fujihara and H. Asoh
  • 学会等名: Porous Semiconductors-Science and Technology(PSST-2012)
  • 発表場所: Malaga, Spain
  • 年月日: 2012-03-29
• [学会発表] Nano/Micro-Structured Semiconductors Fabricated by Anodic Etching using Sphere Photolithography (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Ono, S. Kotaka, J. Iwata and H. Asoh
  • 学会等名: 220th Meeting of the Electrochemical Society
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 20111009-14
• [学会発表] Anodic etching of InP substrate through photoresist mask formed by sphere photolithography (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Iwata, H. Asoh and S. Ono
  • 学会等名: 220th Meeting of the Electrochemical Society
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 20111009-14
• [学会発表] Micro-Patterning of Semiconductors by Metal-Assisted Chemical Etching through Self-Assembled Colloidal Spheres (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Ono and H. Asoh
  • 学会等名: 215th Meeting of the Electrochemical Society
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2009-05-28
• [学会発表] Patterning of Silicon by Metal-Assisted Chemical Etching/Electrodeposition Through Self-Organized Micro-Spheres (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Ono and H. Asoh
  • 学会等名: 59th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry
  • 発表場所: Seville, Spain
  • 年月日: 2008-09-10
• [図書] Nano/Micro-Patterning of Semiconductors using Noble Metal Particles as Catalyst for Site-Selective Chemical Etching (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Ono and H. Asoh
  • 総ページ数: 225-248
  • 出版者: InTech
• [図書] Nanohole arrays on silicon, Handbook of Nanophysics : Functional Nanomaterials (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Asoh and S. Ono
  • 総ページ数: 787
• [備考] ホームページ(工学院大学小野研究室)
  • URL: http://www.ns.kogakuin.ac.jp/～wwb1027/
• [産業財産権] 多孔質材料の製造方法 (2011)
  • 発明者名: 小野幸子,阿相英孝,原口智,亀田常治,伊藤義康,新藤尊彦,早見徳介,久里裕二,窪谷悟
  • 権利者名: 学校法人工学院大学,株式会社東芝
  • 公開番号: 特許、特開2011-179103
  • 取得年月日: 2011-09-15
• [産業財産権] エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法,アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ (2011)
  • 発明者名: 小野幸子,阿相英孝,坂口雅司,山ノ井智明
  • 権利者名: 小野幸子,昭和電工株式会社
  • 公開番号: 特許、特開2011-63887
  • 取得年月日: 2011-03-31