| 研究課題/領域番号 |
20244038
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
海野 義信 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 准教授 (40151956)
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| 研究分担者 |
寺田 進 高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 講師 (70172096)
池上 陽一 高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20222862)
高力 孝 高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 先任技師 (20391732)
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| 連携研究者 |
原 和彦 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科物理学専攻, 講師 (20218613)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| キーワード | 粒子測定技術 |
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| 研究概要 |
高度耐放射線性を持つp型シリコン半導体位置測定器の基本技術を完成させた。シリコンマイクロストリップセンサーは平方センチ当り10**15個の積分通過粒子数の高度耐放射線性を、更にシリコンピクセルセンサー技術では10**16レベルまでを評価。各種構造や信号収集の放射線量依存性を明らかにし、ホットエレクトロン解析・TCAD解析による細部構造最適化により、照射前で耐電圧1kVを達成する設計を完成。新開発の高集積・高熱伝導・低質量のハイブリッドを設計し両面読み出しモジュールを完成、熱および電気特性等の性能を評価した。
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