研究課題/領域番号 |
20244045
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅰ
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研究機関 | 千葉大学 |
研究代表者 |
坂本 一之 千葉大学, 大学院・融合科学研究科, 准教授 (70261542)
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研究分担者 |
小田 竜樹 金沢大学, 大学院・数物科学系, 教授 (30272941)
木村 昭夫 広島大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00272534)
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連携研究者 |
木村 昭夫 広島大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00272534)
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研究協力者 |
R.I.G. Uhrberg Linkoping大学, 物理学科, 教授
M. Donath Munster大学, 物理学科, 教授
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研究期間 (年度) |
2008 – 2012
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キーワード | 表面・界面物性 / 電子物性 / スピン軌道相互作用 / 光電子分光 / スピンエレクトロニクス |
研究概要 |
半導体表面上に作製した低次元ナノ構造体での巨大スピン分裂など、特異なラシュバ効果の観測とその起源の解明を目的に実験と理論の両面より研究を遂行した。その結果、固体表面の対称性に起因した、表面垂直方向に100%偏極したラシュバスピンや、不可欠だと思われていた時間反転対称性がなくてもラシュバ効果が起こることなど、それまでの常識を覆すようなラシュバ効果を報告した。また、ラシュバスピンの向きが原子核近傍の電荷分布の非対称性により決定されることも示した。
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