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本研究の目的は、走査型プローブ顕微鏡(SPM)を基に独自開発した電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法(Bias nc-AFM/S)を発展させること、探針と試料の間の相互作用引力・トンネル電流/(疑似)接触電流・エネルギー散逸・トンネル障壁の印加電圧に対する変化を高感度で同時計測すること、それによって探針と試料を極接近させたときに進行する試料表面上の原子・分子と探針先端原子の結合形成の過程、および、その電子状態変化を明らかにすることである。Biasnc-AFM/Sでは、「探針-試料間印加電圧をチューニングすることによってSPM探針先端の電子準位と試料表面原子の電子準位の間に形成される電子共鳴(結合)状態」を、印加電圧に対する相互作用引力の増加として検出する。これらの手法を用いて、探針と試料間の結合形成の原子スケール顕微分光情報を得る。
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