研究課題
基盤研究(A)
ハーフメタル特性に由来する潜在的に高いスピン偏極率を有するホイスラー合金薄膜は,スピントロニクスデバイスの強磁性電極材料として有望である.本研究では,ホイスラー合金薄膜のハーフメタル特性を十分に活用するための高品質ヘテロ構造を開発すると共に,優れたデバイス特性を実証した.さらに,ホイスラー合金薄膜を上部・下部両電極に用い,MgOバリアを用いるエピタキシャル強磁性トンネル接合デバイスのスピン依存トンネル抵抗が室温においてMgOバリア厚に対し顕著な振動的依存性を示すことを見出した.
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