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本研究では、走査型プローブ顕微鏡(SPM)を基に独自開発したBias nc-AFM/S法を発展させ、探針と試料を極接近させたときに試料表面上の特異的原子・分子と探針先端原子との間で進行する結合形成の過程・電子状態の変化を明らかにする。Bias nc-AFM/Sでは、「探針-試料間印加電圧をチューニングすることによってSPM探針先端の電子準位と試料表面原子の電子準位の間に形成される電子共鳴(結合)状態」を、印加電圧に対する相互作用引力の増加として検出する。まず、探針-試料間の相互作用引力・トンネル電流/(疑似)接触電流・エネルギー散逸・トンネル障壁の印加電圧に対する変化を高感度で同時計測できるシステムを構築し、清浄な探針及び試料を準備し、それぞれに原子・分子を修飾してそれらの結合形成の原子スケールの顕微分光情報を得る。
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