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酸化物光半導体ZnOはバンドギャップエネルギーが3.28eV、励起子結合エネルギーが60meVと極めて大きい特長があり、新しい光ナノでバイスとして高いポテンシャルを有している。我々は、非平衡度の大きいRPE-MOCVDを新たに開発し、可視から紫外域のZnO系混晶成長を可能とし、ヘテロ接合でRGBのEL発光に成功し、その可能性を実証して来た。
今期は
1. 発光層の時間分解PLを用いて、ZnO混晶の発光寿命とポテンシャル揺らぎの評価を行いモデルとの比較検討をした。また、多層量子井戸作製に成功しブルーシフトを観測できた。
2. Cu並びにInを含む新しいZnO系混晶成長の検討を行い、基本的な表面モフォロジー、格子定数、バンドギャップの制御性を明らかにした。光学評価、電気的特性の評価を行いデバイス薄膜としての可能性を探っている。
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