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2011 年度 研究成果報告書

1次元Si(110)表面構造を利用したナノドット規則配列構造の創製とストレス制御

研究課題

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研究課題/領域番号 20310064
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究機関独立行政法人日本原子力研究開発機構

研究代表者

朝岡 秀人  独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (40370340)

研究分担者 山田 洋一  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教 (20435598)
山崎 竜也  独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員 (30465992)
社本 真一  独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主席 (90235698)
連携研究者 末光 眞希  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00134057)
豊島 安健  産業技術総合研究所, エネルギー技術研究部門, 主任研究員 (90357583)
研究期間 (年度) 2008 – 2011
キーワードナノ構造形成 / 制御
研究概要

1次元構造を有するSi(110)表面のテンプレート作製技術の確立と、成長カイネティクス、ストレス生成機構の解明を通してナノ構造作製技術の指針を得ることを目的とし、研究を遂行した。その結果、Si(110)に加えGe(110)のシングルドメイン1次元16×2再構成構造を有するテンプレート作製を実現した。さらにフラーレンなどがナノワイヤー状に規則配列する16×2再構成構造内の結合サイトを見出すなど、自己組織化によるナノ構造作製技術のための端緒を得た。

  • 研究成果

    (32件)

すべて 2012 2011 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 10件) 学会発表 (19件) 図書 (1件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Ordering of C_<60> on one-dimensional template of single-domain Ge(110)-16x2 and Si(110)-16x2 surfaces2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Yokoyama, A. Sinsarp, Y. Yamada, H. Asaoka and M. Sasaki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 5 ページ: 025203(1-3)

    • DOI

      doi:10.1143/APEX.5.025203

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2012

    • 著者名/発表者名
      T. Yamazaki, H. Asaoka, T. Taguchi, S. Yamamoto, D. Yamazaki, R. Mruyama, M. Takeda, S. Shamoto
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 ページ: 3300-3303

    • DOI

      doi:10.1016/j.tsf.2011.10.081

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Surface analysis of single-crystallineβ-FeSi_22011

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, M. Wei, H. Asaoka, H. Yamamoto, F. Esaka, H. Udono and T. Tsuru
    • 雑誌名

      Physics Procedia

      巻: 11 ページ: 67-70

    • DOI

      doi:10.1016/j.phpro.2011.01.034

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of largely mismatched crystals on H-terminated Si(111) surfaces2010

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka
    • 雑誌名

      J. Phys

      巻: 22 ページ: 474007(1-7)

    • DOI

      doi:10.1088/0953-8984/22/47/474007

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-Domained Si(110)-16×22008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, A. Girard, H. Asaoka
    • 雑誌名

      J. Phys

      巻: 100 ページ: 072018(1-4)

    • DOI

      doi:10.1088/1742-6596/100/7/072018

    • 査読あり
  • [雑誌論文] SR-PES and STM observation of metastable chemisorption state of oxygen on Si(1 1 0)-16x2 surface2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, H. Togashi, A. Kato, Y. Takahashi, A. Konno, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, H. Asaoka, M. Suemitsu
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci

      巻: 254 ページ: 6232-6234

    • DOI

      doi:10.1016/j.apsusc.2008.02.148

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Controlling the surface chirality of Si(110)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, A. Girard, H. Asaoka, H. Yamamoto, S. Shamoto
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 77 ページ: 153305(1-3)

    • DOI

      doi:10.1103/PhysRevB.77.153305

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Real-time stress analysis of Ge nanodot growth on H-terminated Si(111)-1x1 and Si(111)-7x7 surfaces2008

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto
    • 雑誌名

      Curr. Appl. Phys

      巻: 8 ページ: 246-248

    • DOI

      doi:10.1016/j.cap.2007.10.052

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Surface preparation and characterization of single crystallineβ-FeSi_22008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, I. Wakaya, S. Ohuchi, H. Yamamoto, H. Asaoka, S. Shamoto, H. Udono
    • 雑誌名

      Surf. Sci

      巻: 602 ページ: 3006-3009

    • DOI

      doi:10.1016/j.susc.2008.07.035

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Si(110)-16×2単一ドメイン表面の作製2008

    • 著者名/発表者名
      山田洋一, Antoine Girard,朝岡秀人,山本博之,社本真一
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 29 ページ: 401-406

    • URL

      https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsssj/29/7/29_7_401/_pdf

    • 査読あり
  • [学会発表] Ge(110)-16x2及びSi(110)-16x2単一ドメイン表面をテンプレートとした分子ナノワイヤー作製2012

    • 著者名/発表者名
      山田洋一、アッサウィンスィンサップ、横山有太、朝岡秀人、佐々木正洋
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] サーファクタントを利用したGe/Siヘテロ成長過程におけるストレス・表面構造の同時観察2012

    • 著者名/発表者名
      朝岡秀人、山崎竜也、社本真一、S. N. Filimonov、末光眞希
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-15
  • [学会発表] In situ observation of stress and strain evolution during surfactant-mediated growth of Ge on Si2011

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto
    • 学会等名
      The XXII International Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography(IUCr2011)
    • 発表場所
      Madrid Spain
    • 年月日
      20110825-26
  • [学会発表] Controlled clustering of Ge on Si(110) substrate2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Yokoyama, Y. Yamada, H. Asaoka, M. Sasaki
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Surface Science(ISSS-6)
    • 発表場所
      Tokyo Japan
    • 年月日
      2011-12-13
  • [学会発表] Selectivity adsorption of organic molecules on the Si(110)-16×2 single domain surface2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Yokoyama, Y. Yamada, H. Asaoka, M. Sasaki
    • 学会等名
      15th International Conference on Thin Films(ICTF-15)
    • 発表場所
      Kyoto Japan
    • 年月日
      2011-11-09
  • [学会発表] Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamazaki, H. Asaoka, T. Taguchi, S. Yamamoto, D. Yamazaki, R. Mruyama, M. Takeda, S. Shamoto
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures(ICSI-7)
    • 発表場所
      Leuven Belgium
    • 年月日
      2011-08-30
  • [学会発表] Neutron reflectometry studies of hetero-interfacial H layer in highly lattice-mismatched epitaxy on Si2011

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, D. Yamazaki, M. Takeda and S. Shamoto
    • 学会等名
      17th European Molecular Beam Epitaxy Workshop(Euro-MBE)
    • 発表場所
      L' Alpe d' Huez France
    • 年月日
      2011-03-21
  • [学会発表] Organic monolayers on the Si(110)-16×2 single domain surface2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Yokoyama, Y. Yamada, H. Asaoka, M. Sasaki
    • 学会等名
      18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
    • 発表場所
      Shizuoka
    • 年月日
      2010-12-09
  • [学会発表] Si(110)-16x2単一ドメイン表面上の有機分子薄膜形成2010

    • 著者名/発表者名
      横山有太,山田洋一,朝岡秀人,佐々木正洋
    • 学会等名
      第30回表面科学講演大会
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2010-11-06
  • [学会発表] Surface analysis of single-crystallineβ-FeSi_22010

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, M. Wei, H. Asaoka, H. Yamamoto, F. Esaka, H. Udono and T. Tsuru
    • 学会等名
      Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics(APAC-SILICIDE 2010)
    • 発表場所
      Ibaraki
    • 年月日
      2010-07-24
  • [学会発表] 終端されたSi(110)-16×2単一ドメイン表面上の有機分子薄膜作製2010

    • 著者名/発表者名
      横山有太,山田洋一,朝岡秀人,佐々木正洋
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
  • [学会発表] Si(110) 16x2表面の制御2009

    • 著者名/発表者名
      朝岡秀人
    • 学会等名
      東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「半導体ゲートスタック・ナノ構造形成過程のダイナミクスと応用に関する研究」、東北大学電気通信研究所
    • 発表場所
      宮城
    • 年月日
      2009-03-09
  • [学会発表] Surface stress relief in Bi-mediated Ge growth on Si2009

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. Filimonov, M. Suemitsu
    • 学会等名
      36^<th> Korean Vacuum Society meeting
    • 発表場所
      Seoul
    • 年月日
      2009-02-11
  • [学会発表] 光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価2009

    • 著者名/発表者名
      山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴,寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会
    • 発表場所
      静岡
    • 年月日
      2009-01-23
  • [学会発表] Direct determination of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si2008

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, S. Shamoto, S. N. Filimonov
    • 学会等名
      14th International Conference on Thin Films & Reactive Sputter Deposition 2008(ICTF14 & RSD2008)
    • 発表場所
      Ghent(Belgium)
    • 年月日
      2008-11-20
  • [学会発表] Stress evolution during hetero-epitaxial growth of Ge on Si2008

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka
    • 学会等名
      Forschungszentrum Julich Seminar
    • 年月日
      2008-11-14
  • [学会発表] Si(110)初期酸化時の化学結合状態および基板曲率のリアルタイム計測2008

    • 著者名/発表者名
      山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴、寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
    • 学会等名
      第63回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表場所
      宮城
    • 年月日
      2008-11-05
  • [学会発表] Stress evolution during surfactant-mediated growth of Ge on Si2008

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka
    • 学会等名
      5th Japan-Korea Symposium on Surface Nanostructures
    • 発表場所
      Miyagi
    • 年月日
      2008-09-18
  • [学会発表] BiサーファクタントGe成長過程のストレス・RHEEDその場観察2008

    • 著者名/発表者名
      朝岡秀人、山崎竜也、社本真一、S. N. Filimonov、末光眞希
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2008-09-03
  • [図書] Direct determination of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si2008

    • 著者名/発表者名
      H. Asaoka, T. Yamazaki, S. N. Filimonov, S. Shamoto
    • 総ページ数
      179-182
  • [産業財産権] 非固定式通電加熱ホルダー2011

    • 発明者名
      山崎竜也,朝岡秀人
    • 権利者名
      独立行政法人日本原子力研究開発機構
    • 産業財産権番号
      特許権、特願2011-196724
    • 出願年月日
      2011-09-09
  • [産業財産権] Si(110)表面の一次元ナノ構造及びその製造方法2008

    • 発明者名
      山田洋一,朝岡秀人,山本博之,社本真一
    • 権利者名
      独立行政法人日本原子力研究開発機構
    • 産業財産権番号
      特許権、特願2008-182426
    • 出願年月日
      2008-07-14

URL: 

公開日: 2013-07-31  

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