|
有機金属気相成長法によりSi基板上に成長した厚膜単結晶CdTe成長層を用いて作製したp-CdTe/n-CdTe/n^+-Siヘテロ接合ダイオード型検出器の性能を向上のために以下の項目について検討を行った。
1.検出器の暗電流の低減
Si基板とCdTe層と間の大きいな格子定数差や熱膨張係数差のため成長層中には高密度の転位や結晶歪み存在する。成長層中の転位は検出器暗電流を増加させ、検出特性を劣化させる。検出器の暗電流の低減のためにアニール処理によるn-CdTe層の低転位密度化について検討を行った。Si基板上にn-CdTe層を成長後成長室内にカドミウム雰囲気で、アニール温度、アニール時間及び回数を変化させアニール処理を行った。検討の結果、アニール処理温度370℃、時間20分、及びアニール回数4回の条件で処理を行ったn-CdTe層の結晶性、及び電気特性の向上を見られた。また、本条件でのアニール復、厚膜p-CdTe層を成長行い作製したヘテロ接合ダイオードではアニールを行っていないダイオードより暗電流の低減を確認した。現在、アニール処理環境及び条件のさらなる最適化及びアニール処理による検出特性評価を行っている。
|
