| 研究課題/領域番号 |
20340071
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
粕谷 厚生 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教育研究支援者 (10005986)
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| 研究分担者 |
須藤 彰三 東北大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40171277)
前川 英己 東北大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60238847)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2012
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| キーワード | 光物性 / 半導体微粒子 / ナノ粒子 / 籠状粒子 / マイクロクラスター / 量子ドット / CdSe / II-VI 族半導体 |
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| 研究概要 |
本研究では光学材料として優れたII-VI族半導体の一つであるCdSeについて、粒径が1nm台で完全に単一な(CdSe)_<13>、(CdSe)_<33>、(CdSe)_<34>、等を溶液中で選択的に生成した後、引き続き僅かに成長或は表面修飾を施して発光効率の変化を調べた。この試料につき、終端原子を含めた1nm粒子の構造と発光効率との関係を微視的に解析することによって励起された電子が精密な原子配列の中で損失が少ない緩和過程を経て最大高率で電子的機能を果たす条件を明らかにした。
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