研究課題
基盤研究(B)
シリコンカーバイド上の酸窒化シリコン膜やグラフェン膜、およびモリブデン上の酸化シリコン膜などの構造を低速電子回折法を用いて明らかにした。また、その表面上でのアルカリ金属吸着構造の解明や表面構造の再生法に取り組んだ。さらに、微小領域プローブ低速電子回折装置の開発を進め、グラフェン膜からの回折パターンの観察に成功した。その過程においては、電子線源となるタングステン針を、電界誘起ガスエッチング法により原子レベルで先鋭化するとともに、再現性良く広がり角の小さな電界放出電子線をとり出すことができるようになった。
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