| 研究概要 |
1. CeCu_2Si_2の高圧下におけるT_c増大の機構解明
価数ゆらぎにより超伝導転移温度T_cが増大している可能性を追求するため,昨年度は多結晶試料のホール効果測定を行った.ホール係数の温度変化はf電子系でしばしば観測されるいわゆる「異常ホール効果」で説明できるが,T_cが増大している圧力近傍では低温部で異なる振舞いを示す.価数ゆらぎによる異常である可能性があるが,今後単結晶試料の測定により通常の「異常ホール効果」を評価する必要がある.また,ひずみゲージを用いた熱膨張測定を開発し,常温における圧力変化の測定に成功した.今後,温度変化の測定を開発し,CeCu_2Si_2の測定を行う予定である.
2. U_3P_4における強磁性ゆらぎ効果の研究
強磁性が消滅する圧力(4.2GPa)近傍での磁気抵抗測定を行った結果,臨界圧力以上でメタ磁性に対応すると思われる電気抵抗の異常が観測された.帯磁率の温度変化ではこれに対応するブロードなピークが観測されないため,強磁性-非磁性転移が一次転移か二次転移かを決定するためには,より詳細な磁気測定が必要である.さらにP-NMRによる内部磁場の温度変化の測定を行った.内部磁場によるシフトが小さいため,ゼロ磁場NMRによる臨界圧力近傍での強磁性ゆらぎの研究は困難であることがわかった.今後,低磁場でのNMR測定を検討する必要がある.
3. SmOs_4Sb_<12>における高圧下比熱測定
SmOs_4Sb_<12>ではSmイオンの価数が温度変化を示すことが知られており,磁場に鈍感な重い電子状態との関連が注目される.また,高圧下では強磁性転移温度が上昇するが,ordered momentは減少し,単純な強磁性ではないことが指摘されている.これらの興味深い現象を理解するために,高圧下での比熱測定を行った.転移による比熱異常は増大することがわかったが,C/Tの評価には至っていない.
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