研究課題
基盤研究(B)
充填スクッテルダイト(RT_4X_<12>)では、精力的な研究により多くの構成元素(R、T、X)の組合せで興味深い現象が見出され、機構の解明も進んだ。しかし、純良単結晶の育成が実現しない等の理由で、物性の評価や興味深い現象の機構の解明が成されずに残されたものも多い。本研究では、高圧下でのフラックス法により、それらのうち重要と考えられた構成元素の組合せを持つ単結晶の育成と特性評価が行われ、新奇現象の機構の解明が成された。
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