強磁性半導体中の電流誘起磁壁移動

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20360001
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 松倉 文禮 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (50261574)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: スピントロニクス

研究概要

強磁性半導体(Ga, Mn)As中の磁壁運動に関連する物理現象の観測を行い
(1)(Ga, Mn)Asの表面粗さをバッファ層により制御することで、磁壁クリープ運動のユニバーサリティ・クラスは素子の表面粗さにより決まること、
(2)磁壁を外部磁界で移動させた際に、電流誘起磁壁移動の逆効果として磁壁移動に伴う起電力発生が生じること、を明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Domain wall creep in (Ga, Mn)As (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Kanda, A. Suzuki, F. Matsukura, and H. Ohno
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 97 ページ: 032504
  • DOI: DOI:10.1063/1.3467048
  • 査読あり
• [雑誌論文] 強磁性半導体における磁壁の電流駆動 (2009)
  • 著者名/発表者名: 千葉大地、山ノ内路彦、松倉文禮、大野英男
  • 雑誌名: まぐね 巻: 4(8) ページ: 390-295
  • 査読あり
• [学会発表] Buffer layer dependence of magnetic domain wall creep in (Ga, Mn)As (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Suzuki, A. Kanda, F. Matsukura, and H. Ohno
  • 学会等名: The 1st CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs and The 7th RIEC International Workshop on Spintronics
  • 発表場所: Sendai
  • 年月日: 20110203-04
• [学会発表] Asにおける電流誘起磁壁移動の膜厚依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木淳士、神田明典、松倉文禮、大野英男
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学文教キャンパス
  • 年月日: 20100914-0917
• [学会発表] As中の磁壁の磁場誘起クリープ (2009)
  • 著者名/発表者名: 神田明典、松倉文禮、大野英男
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 20090330-0402
• [学会発表] As中の磁場誘起クリープのスケーリング指数 (2009)
  • 著者名/発表者名: 神田明典、松倉文禮、大野英男
  • 学会等名: The 13th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors
  • 発表場所: 東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
  • 年月日: 20090127-28
• [学会発表] 強磁性半導体:その物性と電流による磁壁駆動 (2008)
  • 著者名/発表者名: 大野英男、松倉文禮
  • 学会等名: 未踏・ナノデバイスデクノロジ第151委員会第84回研究会
  • 発表場所: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • 年月日: 2008-04-24