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本研究では、半導体におけるナノメーター領域の歪みと電気伝導の相関を明らかにすることを目的とし、電子線をもちいた局所領域における格子歪みの新しい高精度計測法に関する以下の成果を挙げた。(1)収束電子回折図形にみられるHOLZ線図形をもちいて10nm領域の格子定数および格子湾曲パラメーターを高精度で同時に決定する方法を開発した。(2)本解析アルゴリズムを実装したGUIを備えた解析ソフトウェアを開発した。(3)収束電子ビームを2次元走査させてHOLZ線図形を取得し、それらの図形から自動的に格子定数および湾曲パラメーターを決定するシステムを構築した。(4)HOLZ線のロッキングカーブプロファイルから、フーリエ反復位相回復法をもちいて格子湾曲のモデルを仮定せずに3次元湾曲歪み場を決定する方法を開発した。(5)HOLZ線が明瞭に観察できないヘテロ界面近傍の10nm以下の領域においてナノビーム回折をもちいた高精度格子定数決定法を開発した。(6)超高圧電子顕微鏡をもちいて、薄片化による表面緩和の影響の少ない厚膜試料の格子定数決定法の検討を行った。(7)STMホルダーをもちいて歪みを印加したピラー状Si試料の電流電圧特性測定を行い、格子歪みと電気伝導の同時測定を初めて行った。
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