|
最終年目に当たり計画では、それまでに得られた成果を元に、改めて研究計画を見直す予定であると記述したが、「フォトルミネッセンス(PL)とHall効果測定による移動度とキャリア密度測定を試み、ヘテロ構造のHEMTや多重量子井戸の結晶成長に必要な条件出しの実験をSi(001)を主に用いて行う。目標としている3インチSi上への立方晶結晶成長を完成させるには六方晶の混入をさける工夫とその評価法を開発する。」と記していた。結果として、結晶成長法での改良点と、原子フラックス計測の新しい発明に対応する実験を実施したことにより、フォトルミネッセンス(PL)と移動度とキャリア密度測定を実施出来ず、ヘテロ構造のHEMTや多重量子井戸の結晶成長にまで研究が進展しなかった。しかし、Si基板上へのGaN成長に必要な良好なテンプレートとなるβ-Si_3N_4単結晶薄膜の作製とβ-Si_3N_4とAl数原子層照射後の界面固相反応エピタキシャル法でAINを作製することに成功し、原子間顕微鏡AFMによる表面形状評価とPANAlytical社の薄膜X線回折装置を用いた回折ピークの半値巾、高分解逆格子マッピング計測を新次元半導体検出器PIXCELを利用しての評価より、高品質の結晶成長を確認出来た。さらに、窒素原子の負電極での自己電離を用いた窒素原子計測法を2重平行メッシュ電極により、直接照射ちお間接照射の窒素原子束計測を完成させた。
|
