研究課題
基盤研究(B)
1~3原子層の厚さを有する量子井戸や量子ドット濡れ層に閉じ込められた電子の波動関数はバリア層に大きく浸み出すため、その電子状態の詳細は、バリア層におけるさまざまな揺らぎを明らかにする上で良いプローブとなる。そこで本研究では、近接場光学顕微鏡を用いたナノイメージング分光法と数値シミュレーションを駆使し、局在電子状態の解明をおこない、バリア層揺らぎとの関連を明らかにした。さらに、局所的な応力印加を利用した量子状態制御のデモンストレーションをおこなった。
すべて 2010 2009 2008 その他
すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (9件) 図書 (5件) 備考 (1件)
Jpn.J.Appl.Phys. 49
ページ: 041201/1-4
Opt.Rev. 16
ページ: 269-273
Appl.Phys.Lett. 93
ページ: 083116/1-3
http://www.saiki.elec.keio.ac.jp/home.html