2010 年度研究成果報告書

ボロンドープした半導体ナノダイヤモンドの開発とグルコースセンサーへの応用

研究課題

研究課題/領域番号	20360056
研究種目	基盤研究(B)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	機械材料・材料力学
研究機関	徳島大学
研究代表者	村上理一徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (00112235)
連携研究者	米倉大介徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (70314846) コインカーパンカジ徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 助教
研究期間 (年度)	2008 – 2010
キーワード	材料加工・処理 / 導電性ダイヤモンド / グルコースセンサー / 表面・界面物性
研究概要	本研究は導電性ナノダイヤモンドの形成に最適なボロンドープ量を決定し,グルコースオキシターゼを広範囲に固定するための導電性ナノダイヤモンドの化学修飾する方法を開発したものである.また,グルコースオキシダーゼを固定した導電性ナノダイヤモンド薄膜を用い,グルコースセンサーへの応用を試みた.その結果,導電性ナノダイヤモンド成膜時のボロン導入量が多いほど微量のグルコースを検出でき,再現性が高いことを明らかにした