研究課題
基盤研究(B)
特殊構造の電極を開発し、真空チャンバーを用いることなく完全な大気開放下でプラズマを発生できる数値制御(NC)加工装置を開発した。本装置を用い、厚さが100μm以下である水晶ウエハの厚さムラを2分以内に10nmレベルまで均一化することに成功した。また、大気圧水蒸気プラズマの照射による表面改質と砥粒研磨加工とを組み合わせたプラズマ援用研磨法を提案し、単結晶SiCのシリコン面に対してステップ/テラス構造が観察されるほどの原子レベルで平滑な表面を得た。
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