研究概要 |
従来法にない量産性と材料設計の高い自由度を兼ね備えた方法としてインフライトプラズマCVDを開発し,SiC量子ドットを大量合成することに成功した。反応時間によってナノ結晶のサイズを3-12nmで制御できること,さらに結晶サイズによってフォトルミネッセンスを900nmから650nmへ制御できることを実証した。カーボンナノチューブをマトリックスとして用い,量子ドットを分散させた薄膜を作成したが,量子ドットの酸化に起因してエレクトロルミネッセンス及び薄膜の良好な電気伝導性を得ることができなかった。シリコン系の量子ドットを発光デバイス等へ発展させるためには,完全に空気(水蒸気)が遮断された環境で量子ドットを取り扱う必要性があること,そのために必要なデバイス設計指針を明示した。
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