| 研究概要 |
20年度は主に、新たに提案したブレークスルー技術の原理確認を中心に研究した。
1.高精度垂直面配線技術
(a)垂直壁面へのレジスト塗布条件の把握:スプレー噴霧レジストの塗布技術において、基板温度、サンプル移動速度、塗布回数等の条件を最適化することにより、均一なレジスト形成を可能とする条件を把握した。これにより、垂直壁の高さ約600ミクロン、配線幅約300ミクロンのレジスト塗布を実現する条件を把握した。
(b)斜め露光、現像技術の基本検討
垂直壁へのパターニングのため、レジスト膜厚を考慮した露光現像条件を明らかにした。
(c)配線形成の基本検討
Ti,Pd等のメッキ下地金属の形成、およびNiメッキ等による配線形成を行う工程において、所定の部分にのみメッキを行い垂直壁面への配線形成を可能とする原理確認を行った。
2.貫通配線形成基板技術
Si(110)面での高アスペクト比の微細な角柱形成技術の確立を目指し、その微細化に向けて下記項目を研究した。
(a)Siの異方性エッチングを利用したプロセスにおいて、薄肉ダイシングブレードによる切断微細化を検討した。
(b)これまでの合わせマークによる顕微鏡でのアライメントだけでなく、新たに事前エッチングによるマークとの位置合わせ法等を検討した。
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