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本研究課題では、以下の研究成果を達成した。
(1)エレクトロマイグレーションを用いたナノパターニング技術の開発:電荷の移動に伴い誘起されるエレクトロマイグレーション現象を「その場」制御し、簡便に10nm以下の単電子帯電構造を作製することに成功した。
(2)強磁性単電子デバイス技術の開発:電荷とスピン(電子の2自由度)の制御が可能な、これまでに無い新しいデバイス技術を開発した。具体的には、Ni系強磁性単電子トランジスタを作製し、室温動作やNi系強磁性トンネル接合からのトンネル磁気抵抗効果の観測に成功した。
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