III-N-V半導体における原子緩和に関する研究

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20360139
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 近藤 正彦 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90403170)
• 研究分担者: 若原 昭浩 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (00230912) ; 江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192) ; 石川 史太郎 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60456994)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2012
• キーワード: III-N-V 半導体

研究概要

GaInNAs に代表される III-N-V半導体は、半導体レーザ等の次世代半導体デバイスの基盤材料としての大きな可能性を内在している。熱処理(アニール)は III-N-V 化合物半導体の光学特性改善に欠かせない技術として定着しているが、未だにその結晶に与える影響については未解明な部分が多い。本研究では、放射光施設を利用して、X 線吸収微細構造(XAFS)測定及び硬 X 線光電子分光(HXPES)の測定を行い、アニールが引き起こす III-N-V 半導体中の原子緩和について研究をおこなった。

研究成果

• [雑誌論文] Reduction of S-parameter by the Introduction of Nitrogen in GaNAs: Positron Annihilation and Photoluminescence Spectroscopy Study (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Nakamoto1, F. Ishikawa, M. Kondow, Y. Ohshima, A. Yabuuchi, M. Mizuno, H. Araki1, Y. Shirai
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50 ページ: 04DH09
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct observation of N-(group V) bonding defects in dilute nitride semiconductors using hard x-ray photoelectron spectroscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, S. Fuyuno, K. Higashi, M. Kondow, M. Machida, H. Oji, J.-Y. Son, A. Trampert, K. Umeno, Y. Furukawa, and A. Wakahara
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 98 ページ: 121915
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth and luminescence characterization of dilute InPN alloys grown by molecular beam epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Umeno, Y. Furukawa, N. Urakami, S. Mitsuyoshi, H. Yonezu, A. Wakahara, F. Ishikawa, and M. Kondow
  • 雑誌名: J.Vac. Sci.& Tech B 巻: 28 ページ: C3B22
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial Lift-off for Sample Preparation of X-ray Absorption Fine Structure (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Higashi, F. Ishikawa, K. Handa, S. Emura, and M. Kondow
  • 雑誌名: Rev. Sci. Inst. 巻: 81 ページ: 143903
  • 査読あり
• [雑誌論文] Infrared Absorption Spectrum of InNP (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Kondow, F. Ishikawa, K. Umeno, Y. Furukawa, and A. Wakahara
  • 雑誌名: Appl. Phys. Exp. 巻: 3 ページ: 011001
  • 査読あり
• [学会発表] Annealing effect on (Ga,In)(N,As) investigated by hard X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption fine structure (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Fuyuno, F. Ishikawa, K. Higashi, A. Kinoshita, M. Morifuji, M. Kondow, H. Oji, J.-Y.Son, T. Honma, T. Uruga, and A. Trampert
  • 学会等名: The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara
  • 年月日: 2012-09-27
• [学会発表] Reduction of S-parameter by the Introduction of Nitrogen in GaNAs: Positron Annihilation and Its Comparative Study with Photoluminescence Spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Nakamoto, F. Ishikawa, M. Kondow, Y. Oshima, A. Yabuchi, M. Mizuno, H. Araki, Y. Shirai
  • 学会等名: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] Direct band engineering with sub-monolayer nitride into III-V quantum system (2010)
  • 著者名/発表者名: F. Ishikawa, M. Morifuji, S. Furuse, K. Nagahara, M. Uchiyama, K. Higashi, and M. Kondow
  • 学会等名: The 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2010-08-24
• [学会発表] Temperature dependence of photoluminescence peak energy in Ga(In)Nas (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Emura, H. Nakamoto, F. Ishikawa, M. Kondow, and H. Asahi
  • 学会等名: The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors
  • 発表場所: Seoul
  • 年月日: 2010-07-27
• [学会発表] Determination of the band gap and its exciton binding energy of 100nm thick GaInNAs films by using a piezoelectric photo-thermal and a photo-reflectance spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Fukuyama, T. Ikari, M. Yano, K. Sakai, H. Yokoyama, and M. Kondow
  • 学会等名: European Materials Research Society 2010 Spring Meeting
  • 発表場所: Strasbourg
  • 年月日: 2010-06-10
• [備考] ホームページ
  • URL: http://www.e3.eei.eng.osaka-u.ac.jp/