研究課題
基盤研究(B)
ダイヤモンドショットキーダイオード(SBD)に関して、その漏れ電流を増加させる要因を調べた。その結果、漏れ電流を引き起こす要因には複数あり、ダイヤモンドの物性に起因する本質的要因、SBDのデバイス構造に起因する構造的要因、ダイヤモンド結晶欠陥に起因する要因等に分けられる事を明らかにした。特に、漏れ電流とショットキー障壁高さに強い相関関係が見られる事を見出し、これは低いショットキー障壁高さが局所的に形成された結果である事を示した。表面終端を利用したダイヤモンドSBD構造とダイヤモンドが持つ低い誘電率というダイヤモンドSBD特有の事象が重なった結果であると結論した。結晶欠陥に関しては、非破壊評価法によるキラー欠陥同定手法を提案した。ダイヤモンドSBDの熱的耐性については、界面形成後も存在するダイヤモンド終端酸素の熱脱離に起因する事を示した。
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