FD-SOIのトータルばらつき抑制効果による超低電圧動作ディペンダブルSRAM

2010 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 20360161
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 神戸大学
• 研究代表者: 川口 博 神戸大学, システム情報学研究科, 准教授 (00361642)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2011
• キーワード: SRAM / ディペンダブルVLSI / ばらつき / 低電圧動作 / FD-SOI

研究概要

平成20年度は、0.13ミクロンFD-SOI技術の基板バイアスキャラクタライズおよび基板バイアス回路に注力する。基板バイアスをBOX層下部の基板から印加し、どの程度の基板バイアスをかけると、しきい値がどの程度変化するのか、その度合いを明らかにする。基板バイアス用の昇圧・降圧回路方法およびその制御方式について検討を行う。
平成21年度には、平成20年度に得たFD-SOI基板バイアスの知見をディペンダブルメモリセルに適用する。セル構成を決定し、それからメモリセルの動作ばらつきをキャラクタライズする。
平成22年度には、ディペンダブルFD-SOI SRAMのメモリシステムの設計に主眼を置く。
平成23年度には平成22年度に設計したチップの検証・評価を行い、実動作を確認する。10-6のビットエラーレートで、0.3V以上の電圧改善を目指す。

研究成果

• [雑誌論文] Bit Error and Soft Error Hardenable 7T/14T SRAM with 150-nm FD-SOI Process (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Yoshimoto, T.Amashita, S.Okumura, K.Yamaguchi, M.Yoshimoto, H.Kawaguchi
  • 雑誌名: Proceedings of IEEE International Reliability Physics Symposium(IRKS) ページ: 876-881
  • 査読あり
• [雑誌論文] 0.42-V 576-kb 0.15-um FD-SOT SRAM with 7T/14T Bit Cells and Substrate Bias Control Circuits for Intra-Die and Inter-Die Variability Compensation (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Yamaguchi, S.Okumura, M.Yoshimoto, H.Kawaguchi
  • 雑誌名: Proceedings of Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits(EUROSOI) ページ: 17-19
  • 査読あり
• [雑誌論文] (Invited)Low-Power Control Techniques for Silicon and Organic Circuits with Array Structures (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Kawaguchi
  • 雑誌名: Proceedings of IEEE Conference on Control Applications (CCA) ページ: 326-333
  • 査読あり
• [雑誌論文] チップ間ばらつき補正機能を有する基板バイアス制御を用いた0.42V動作486kbFD-SOTSRAM (2008)
  • 著者名/発表者名: 山口幸介、藤原英弘、竹内隆、大竹優、吉本雅彦、川口博
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告、ICD2008-127 ページ: 131-136
• [雑誌論文] An Inter-Die Variability Compensation Scheme for 0.42-V 486-kb FD-SOT SRAM using Substrate Control (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Fujiwara, T.Takeuchi, Y.Otake, M.Yoshimoto, H.Kawaguchi
  • 雑誌名: Proceedings of IEEE International SOI Conference ページ: 93-94
  • 査読あり
• [学会発表] 低電圧・低消費電力SRAM (2009)
  • 著者名/発表者名: 川口博
  • 学会等名: IEEE Solid-State Circuits Society Kansai Chapter Technical Seminar
  • 発表場所: 東京市(招待講演)
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] チソプ間ばらつき補正機能を有する基板バイアス制御を用いた0.42V動作486kbFD-SOIS RAM (2009)
  • 著者名/発表者名: 山口幸介、藤原英弘、竹内隆、大竹優、吉本雅彦、川口博
  • 学会等名: LSIとシステムのワークショップ
  • 発表場所: 北九州市
  • 年月日: 2009-05-18
• [備考] ホームページ
  • URL: http://www28.CS.kobe-u.a.jp/ja/research/sram.htm
• [産業財産権] 半導体メモリおよびプログラム (2009)
  • 発明者名: 吉本雅彦、川口博、藤原英弘、奥村俊介
  • 権利者名: 財団法人新産業創造研究機構
  • 産業財産権番号: 特許,PCT/JP2009/050086
  • 出願年月日: 2009-01-07