| 研究課題/領域番号 |
20360163
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 豊田工業大学 |
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研究代表者 |
榊 裕之 豊田工業大学, 工学部, 教授 (90013226)
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| 研究分担者 |
大森 雅登 豊田工業大学, 工学部, 助教 (70454444)
VITUSHINSKIY Pavel 豊田工業大学, 工学部, PD研究員 (30545330)
秋山 芳広 豊田工業大学, 工学部, PD研究員 (60469773)
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| 連携研究者 |
野田 武司 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (90251462)
川津 琢也 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主任研究員 (00444076)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| キーワード | 量子デバイス / スピンデバイス / 量子ナノ構造 |
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| 研究概要 |
量子細線型の伝導路の近くに量子ドットや局在準位を配した構造を作る手法を開発し、この構造に光を照射すると、ドット等が正孔や電子を捕縛するため、細線の電気伝導度が顕著に増減し、光検出機能を示すことを実証した。なお、ドットの形成には、格子不整合基板上の自己形成手法と液滴エピタキシを用い、細線形成には、(1)微傾斜GaAs基板上の多段の原子ステップを用いる手法、(2)自己形成InAsドットの多重積層法、(3)リソグラフィ法の三手法を用いた。
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