研究課題
CPP-GMR素子は高密度ハードディスク用読み取りMRヘッドとして有望であるが、現状では十分なMR比が得られておらず、低い電気抵抗を保ちながら高MR比を実現することが求められている。ハーフメタルとなるホイスラー合金をCPP-GMRに適用することにより高いMR比が実現されるものと期待される。今年度は高いスピン分極率を持つと期待されるホイスラー合金、Co2MnGa x Ge 1-x(CMGG)、Co2FeGe0.5Ga0.5(CFGG)等を強磁性電極として、スペーサー層にはAgを用いたスピンバルブ型及び擬スピンバルブ型CPP-GMR素子を作製し、そのMR特性を調べた。これまで高いスピン分極率が報告されているCMGG及びCFGGを用いたCPP-GMR素子の作成と評価を行った。CFGGを用いた場合室温で40%、低温で100%というこれまでで最大のMR値を得ることが出来た。CMGGについても同様の大きな磁気抵抗出力が得られた。また、前年度より引き続きCo2FeA10.5Si0.5(CFAS)合金とAgスペーサーを用いたCPPGMR素子の研究を行った。今年度は特にAgスペーサ層を介した磁気結合に着目し、ホイスラー合金で初めてスペーサ層の膜厚によって大きさの振動する交換磁気結合の存在が示された。反強磁性的な磁気結合のある場合のCPPGMR素子を作成し、読み取りヘッドとして有望な特性を示した。反強磁性磁気結合によって、ピン止め層がなくても動作可能であり、素子の膜厚を薄くすることができるため高磁気記録密度化のために有利である。
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