| 研究課題/領域番号 |
20510077
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
川端 弘俊 大阪大学, 大学院・工学研究科, 技術専門職員 (20379142)
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| 研究分担者 |
中里 英樹 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30283716)
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| キーワード | 煙道de novo合成 / 煙道多孔質内壁面圧上昇法 / ダイオキシン類 / ごみ燃焼プラント / エネルギー極限利用 / 浮遊カーボン系物質 / N_2ガス / 水蒸気 |
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| 研究概要 |
研究目的:実機都市ごみ燃焼炉におけるde novo合成の模擬実験【実験室規模の燃焼炉、温度800℃、PVC粉末の燃焼排ガスを、約300℃に保持した多孔質耐火物製反応管に導入するde novo合成実験】を行い、de novo合成による有害なダイオキシン類およびベンゼン濃度の増加量を測定する。本研究で提案した「煙道内壁面加圧法による有害物質の生成抑制」すなわち多孔質内壁面圧上昇法【多孔質内壁面に小さな穴を開けたパイプ郡を埋め込み、そのパイプ郡にN_2ガス、空気あるいは水蒸気を送り内壁面圧を上昇させ、多孔質壁面へ有害なダイオキシン類やベンゼンの生成源である浮遊カーボン系物質(浮遊C*)の付着を防止し、de novo合成を抑制】により、有害物質がどの濃度まで抑制できるかを基礎的に検証し、ごみ燃焼プラントのエネルギー極限利用に寄与できる方法とデータを提供する。
研究成果:de novo合成実験(約300℃)では、排ガスの滞留時間が同じ場合、多孔質反応管を用いた場合のダイオキシン類濃度はSUS製反応管を用いた場合の値の4倍にも増加した。
少量(4Ncm^3/min・cm^2)のN_2ガスを用いた多孔質内壁面圧上昇法により、多孔質壁面への浮遊C^*付着を抑制するとde novo合成によるダイオキシン類濃度はN_2ガスを付加しない場合の値の1/3に減少した。この実験から煙道におけるde novo合成の主因は、浮遊C^*が多孔質壁面に付着し300℃の温度域に長時間滞留することであると確認できた。現在、N_2ガス流量の影響について調査中である。一方、同流量の水蒸気ガスを用いた場合、ダイオキシン類濃度はN_2ガスを使用した場合の値と比較して3倍に増加した。現在、SUS製反応管に水蒸気を付加してde novo合成実験を行い、de novo合成に及ぼす水蒸気の影響を調査中である。
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