研究課題
基盤研究(C)
我々はウラン電子系磁性体における磁気メモリ効果を基礎物性の観点で初めて見出した。本研究では、新規ウラン化合物磁気記憶材料を探索すると共に、非磁性元素無秩序化合物U_2TSi_3とU_2TGa_3(T=遷移金属)および参考化合物R_5T_3Si_7(R=希土類)に対する交流磁化率や磁気緩和など基礎物性を測定し、著しい磁気メモリ効果を観測した。その磁気メモリ効果は、広い温度範囲で観測でき、スピングラス状態でフラストレートした磁気相互作用のランダム凍結により誘起された現象であることを明らかにした。
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Journal of Physics : Conference Series
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