研究課題
基盤研究(C)
表面界面のスピン構造と制御に関する理解は科学技術革新において重要な課題である。本研究では、FLAPW法を用いた第一原理計算により、i)交換バイアス強磁性/反強磁性CrSe/MnSe及びCrTe/MnTe界面におけるハーフメタル的電子構造、ii)電気磁気効果を示す有力材料としてのCr_2O_3/Pt及びFe/MgO界面の磁気構造、iii)遷移金属薄膜の結晶磁気異方性及びスピンスパイラル構造の安定性を明らかにし、iv)有限温度下における構造安定性を解析するための計算手法を開発した。
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Journal of Crystal Growth
巻: (連載決定)
Physical Review B
巻: 81巻 ページ: 220409-1-4
Physical Review Letters
巻: 102巻 ページ: 187201-1-4
Journal of Applied Physics
巻: 105巻 ページ: 07C304-1-3